外延生长设备

最适合于高旋转的MOCVD设备

LED（Light Emitting Diodes）作为一种新的照明光源而备受瞩目，是将电能转换为光的半导体。 它具有长寿命、省电、高耐用、高亮度等特点，被广泛应用于大型显示​​器、LCD背光源、汽车大灯、照明等各种产品中，并迅速普及和发展。
LED 的制造，是通过在蓝晶电路板衬底上生长 GaAs、GaP 和 GaN 等薄膜制成的外延片是必不可少的材料。
GaAs、GaP和GaN主要通过MOCVD（金属有机气相生长法）形成。
可适应高速旋转、高真空、氯化物和有机金属等活性气体氛围的磁性流体密封，最适合各种方式的外延增长设备。

延长生成的详细内容，请看这里。

最适合延长生成设备的磁流体密封

空心轴规格的磁流体密封，高频线圈的电极可以通过旋转轴，最适用生成设备的使用。
可以选择标准结构的一般型号F1T-B系列，或真空侧不配置轴承的悬臂式F1T-C系列。

另外，还有从旋转轴中复数的气体，可以同时导入气体的『导入型磁流体密封』等特殊规格型号的磁流体密封。
首先，请把使用条件告知我们。向您推荐最适合的磁流体密封。

什么是外延生长

这是在单晶基板上把均匀的单晶晶体取向薄膜外延生成的方法。
典型的气相外延法，主要有金属有机化学气相沉积法（MOCVD），分子束外延法（MBE），氢化物汽相外延法(HVPE)。

金属有机化学气相沉积法（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）

有机金属化合物从蒸气中生长晶体的方法。 （也被称为MOVPE） 通过将甲基（-CH3）连接到构成 LED 的金属上，可以获得在室温下具有高蒸气压的液态或固态有机金属材料。 这种有机金属材料蒸气和氢化物气体被喷射到加热的基板上并热分解以形成半导体晶体。

分子束外延法（MBE：Molecular Beam Epitaxy）

这是一种在超高真空中加热和蒸发材料，并将蒸发分子的散射方向一致的喷射流（分子束）施加到加热的基板上以生长晶体的方法。

氢化物汽相外延法（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）

在高温气态氯化物气体中生成晶体的方法。通过构成LED的金属材料的氯化物气体与基板上的非金属材料的氢化物气体反应形成半导体晶体。