エピタキシャル成長装置

高速回転が必要なMOCVD装置に最適

照明の新しい光源として注目されてるLED（Light Emitting Diode=発光ダイオード）は、電気エネルギーを光に変える半導体です。長寿命・省電力・高耐久性・高輝度が特徴であり、大型ディスプレイ、液晶のバックライト、自動車のヘッドライト、照明などさまざまな製品に採用され、急速に普及が進んでいます。
LEDの製造には、サファイアなどの基板にGaAs、GaP、GaNなどの薄膜を成長させたエピタキシャルウェハが必要不可欠です。
GaAs、GaP、GaNは、主にMOCVD（有機金属気相成長法）で成膜します。
高速回転、高真空、塩化物・有機金属などの活性ガス雰囲気に対応可能な磁気シールは、さまざまな方式のエピタキシャル成長装置に最適です。

エピタキシャル成長についての解説は、こちらをご覧ください。

エピタキシャル成長装置に適した磁気シール

中空シャフトタイプの磁気シールでは、回転軸に高周波コイル用電極などを通すことができます。
標準的な構造のスタンダードF1T-Bシリーズ、真空側にベアリングを配置しないカンチレバーF1T-Cシリーズの中からお選びいただけます。

また、回転軸から複数系統のガスを導入することが可能なガス導入タイプの磁気シールなど、特殊仕様に積極的に対応します。
まずは、使用条件をご連絡ください。最適な磁気シールをご紹介します。

エピタキシャル成長とは

単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことです。
代表的な気相エピタキシャル成長法として、MOCVD法、MBE 法、HVPE法があります。

MOCVD法（有機金属気相成長：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）

有機金属化合物蒸気から結晶を成長させる方法です。(MOVPE法ともいわれます）。 LEDを構成する金属にメチル基（-CH3）を付けると、常温で高い蒸気圧を有する液体または固体の有機金属材料が得られます。この有機金属材料蒸気と水素化物ガスを加熱した基板上に吹付け、熱分解させて半導体結晶を成膜します。

MBE法（分子線結晶成長法：Molecular Beam Epitaxy）

超高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸発分子の飛散方向をそろえたジェット流（分子線）を加熱した基板上に照射して結晶成長させる方法です。

HVPE法（ハイドライド気相成長法:Hydride Vapor Phase Epitaxy）

高温で気体状の塩化物ガスから結晶を成長させる方法です。LEDを構成する金属材料の塩化物ガスと非金属材料の水素化物ガスを基板上で反応させ、半導体結晶を成膜します。